CHO-SHIELD?571是高導(dǎo)電性的,專為大批量生產(chǎn)而開發(fā)的高級(jí)涂料,在電路板上的精確噴涂和半導(dǎo)體封裝。 組合式采用創(chuàng)新技術(shù)和包裝設(shè)計(jì),CHO-SHIELD 571可以提供板級(jí)或封裝級(jí)的EMI屏蔽電氣元件。
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CHO-SHIELD?571是高導(dǎo)電性的,專為大批量生產(chǎn)而開發(fā)的高級(jí)涂料,在電路板上的精確噴涂和半導(dǎo)體封裝。 組合式采用創(chuàng)新技術(shù)和包裝設(shè)計(jì),CHO-SHIELD 571可以提供板級(jí)或封裝級(jí)的EMI屏蔽電氣元件。
正確應(yīng)用,CHO-SHIELD 571可以更換沖壓金屬罐,節(jié)省寶貴的資源節(jié)省電路板空間并降低總體成本板級(jí)EMI屏蔽。 CHO-SHIELD571的聚合物系統(tǒng)已定制制定以緊密匹配系數(shù)典型環(huán)氧樹脂的熱膨脹系數(shù)(CTE)模塑料帶來的巨大的附著力和環(huán)境穩(wěn)定性半導(dǎo)體器件上的涂層。
二、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)
? 兩部分
? 銀片狀填料
? 環(huán)氧涂層
? 專為大流量噴涂而設(shè)計(jì)。在室溫下最少工作12小時(shí)
? 組件具有出色的導(dǎo)電性和EMI屏蔽
? 由于具有良好的對(duì)半導(dǎo)體封裝材料的附著力聚合物的CTE(熱膨脹系數(shù))匹配。環(huán)境穩(wěn)定,加熱(150°C(302°F),100小時(shí))濕度85%R.H.),熱循環(huán)[85°C(185°F)/ 85%R.H.]承受波峰焊溫度超過262°C(500°F)
應(yīng)用
推薦的準(zhǔn)備
1.清潔基材:基材表面應(yīng)清潔,干燥且無油,脫模劑,污垢和皮棉。
2.混合材料:首先混合A部分通過將罐頭放在油漆攪拌器3-4分鐘或混合用大鍋鏟直到所有固體處于均質(zhì)懸浮液中。 校驗(yàn)沒有未混合的材料殘留在容器的底部或側(cè)面。 下一個(gè)權(quán)衡適當(dāng)?shù)幕旌媳壤龑部分和B部分分為油漆罐和將混合物放回油漆攪拌器上額外的3-4分鐘(您也可以混用用大鍋鏟直到混合均勻均勻)。
3.可選:過濾材料以減少或減少消除潛在的堵塞噴嘴。 油漆會(huì)拉緊通過課程網(wǎng)(1000微米)平面將過濾器放入壓力罐進(jìn)行噴涂。所有金屬填充物應(yīng)轉(zhuǎn)移,盡管少量填充物簇可能會(huì)收集在過濾器中。
流體輸送系統(tǒng)
小批量制造-噴涂
使用標(biāo)準(zhǔn)HVLP噴槍,霧化空氣約為20-40 psi(138-276 kPa)。
具有最小孔口直徑的流體噴嘴建議使用0.040(1.016)。
為了獲得最大的附著力和導(dǎo)電性,應(yīng)避免干噴。調(diào)整噴霧壓力以獲得合適的濕膜涂覆導(dǎo)電涂層時(shí)。
中量產(chǎn)噴槍和壓力容器攪動(dòng)
使用壓力罐(15 psi,103 kPa,典型值)大口徑槳式攪拌器低混合速度以保持金屬填料均勻懸掛。常規(guī)噴霧HVLP(高容量,低容量壓力)或帶螺旋槳的DeVilbiss EGA 503攪拌器壓力罐可用于噴涂在約20-50 psi(138345 kPa)的霧化空氣中應(yīng)用。使用最低壓力可能。涂料從通過噴槍攪拌鍋,然后通過建議使用泵送系統(tǒng)填料均勻性更高。
大批量制造-機(jī)器人噴涂系統(tǒng)
對(duì)于大批量,精確的噴涂應(yīng)用,具有恒定流體的機(jī)器人噴涂系統(tǒng)應(yīng)該使用再循環(huán)來保持導(dǎo)電分離和沉降的顆粒線。 超聲波和HVLP噴頭可用于涂覆導(dǎo)電涂層。確定時(shí)要考慮的重要因素噴頭類型為零件幾何形狀,面罩-要求,過度噴涂公差,油漆轉(zhuǎn)移效率和制造周期時(shí)間。 孔口直徑的流體噴嘴0.020至0.040英寸(0.508至1.016毫米)為推薦的。
標(biāo)稱干膜厚度
名義干膜厚度為0.001英寸建議使用(25μm,1 mils)>從80 MHz起100 dB屏蔽效果至18 GHz。 但是,外套更薄或更厚取決于屏蔽可能是可接受的受保護(hù)設(shè)備的要求。讓物料在室溫下干燥10-20分鐘涂層之間的溫度以避免溶劑陷害。
干燥條件
1.在室溫下干燥10-20分鐘。
2.在125°C±的溫度下繼續(xù)干燥15分鐘0.001英寸(2°C(257°F±5°F))(25μm,1密耳)厚度。
如果薄膜較厚則干燥時(shí)間較長,如果較薄則干燥時(shí)間較短膜,以達(dá)到所需的導(dǎo)電性。
清理
噴涂系統(tǒng),包括噴槍,混合鍋和容器可以用MEK清洗或丙酮(不含VOC的溶劑)。 口罩可以用Challenge 485S屏障動(dòng)力沖洗涂層。
儲(chǔ)存和處理
CHO-SHIELD 571應(yīng)存儲(chǔ)在10oC至30oC(50oF至86oF),并有9個(gè)月的保質(zhì)期從制造之日起的壽命原始密封容器。 CHO-SHIELD 571是可燃液體。 請(qǐng)咨詢材料安全數(shù)據(jù)表,用于正確處理程序使用前不耐煩。
CHO-SHIELD 571 PER CHO-TM-TP11 *的典型屏蔽效果
CHO-SHIELD 571-產(chǎn)品信息
CHO-SHIELD 571 | ||
典型特性 | 典型值 | 測試方法 |
聚合物 | 環(huán)氧膠 | N/A |
填料 | 銀 | N/A |
混合比例(A:B,按重量計(jì)) | 100 : 8.3 | N/A |
顏色 | 銀 | N/A (Q) |
噴霧粘度 | 19至25秒 | 扎恩杯2號(hào) (Q) |
表面電阻(最大)在0.001英寸(25 pm,1 mil) | <= 0.010歐姆/平方 | CEPS-0002 (Q/C) |
屏蔽效果(見圖1) | > 100分貝 | CHO-TM-TP11* (Q) |
推薦干膜厚度 | .001英寸(下午25點(diǎn)) | N/A |
濕密度 | 1.3 | ASTM D792 (Q/C) |
連續(xù)使用溫度 | -40至125°C(-40至257°F) | N/A (Q) |
適用期 | 12小時(shí) | N/A (Q) |
干燥時(shí)間-室溫?zé)o粘性 | 1.0小時(shí) @ 21°C(70°F(華氏度)) | N/A |
干燥時(shí)間-室溫充分干燥 | None | N/A |
干燥時(shí)間-高溫完全干燥 | 固化周期選項(xiàng)1:在21°C(70°F)時(shí)0.25 hr,然后在121°C(250°F)的情況下1.0 hr。固化周期選項(xiàng)2:21°C(70°F)的0.25 hr,然后是2.0 小時(shí)@ 85°C(185°F) | N/A |
自生產(chǎn)日期起未開封的21°C(70°F)的貨架壽命 | 9個(gè)月 | N/A (Q) |
計(jì)算的VOC | 308克/升 | 已計(jì)算 |
推薦干膜厚度下的理論覆蓋率 | 0.060平方英尺/克0.018平方米/克289平方英尺/加侖 | N/A |