CHO-SHIELD?2044是一種導電材料,活性單組分鎳填充丙烯酸涂料-專為應用而設計在塑料上提供適度的EMI屏蔽。CHO-SHIELD 2044非常適合用于電子電子外殼和組件。的耐用的鎳電導率成分漆可以實現(xiàn)簡單,標準使用常規(guī)設備的應用最少的干燥時間和處理時間。
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CHO-SHIELD?2044是一種導電材料,活性單組分鎳填充丙烯酸涂料-專為應用而設計在塑料上提供適度的EMI屏蔽。CHO-SHIELD 2044非常適合用于電子電子外殼和組件。的耐用的鎳電導率成分漆可以實現(xiàn)簡單,標準使用常規(guī)設備的應用最少的干燥時間和處理時間。
CHO-SHIELD 2044非常適合用于電子電子外殼和組件耐磨性和涂層耐久性重要。這種耐用的導電涂層從鎳合金中獲得硬度位置,并可能提供有限的金額H場屏蔽。鑒于其相對較低與其他金屬相比的導電性填充物,鎳可提供出色的屏蔽作用適用于同時使用外部RF的機柜場必須排除在外,并且內部輻射發(fā)射必須衰減。
CHO-SHIELD 2044導電涂料非常理想適用于各種應用,包括:
? 中等EMI屏蔽(請參閱屏蔽效果曲線圖1)
? 防靜電保護
? 表面接地
? ABS,PC / ABS和許多其他涂層塑料外殼的類型
二、特點和優(yōu)點
? 一個組件
? 熱塑性丙烯酸
? 鎳片狀填料
? 耐用的涂層
? 易于使用。 CHO-SHIELD 2044的供貨價格為42固體重量百分比,可以稀釋至合適的比例用MEK溶劑噴涂粘度。 涂料罐適用于標準噴涂設備,否需要昂貴的資本設備。
? 材料在室溫下干燥-不高需要溫度固化爐,快速通過。對多種塑料具有良好的附著力。
? 中等導電性和EMI屏蔽。 成本-電子外殼的有效解決方案需要適度EMI的組件屏蔽和導電性。
? 良好的耐磨性,不會碎裂或破裂容易。
應用
一、推薦的準備
1.清潔基材:基材表面應清潔,干燥不含油,脫模劑,污垢和皮棉。
2.混合材料:CHO-SHIELD 2044的重量為42%固體,應使用MEK稀釋(甲基乙基酮)制成合適的粘稠劑-適用于您的特定噴霧劑設備。
Chomerics推薦材料是噴涂約30%的固體(CHO-SHIELD 2044可以稍微噴上較高或稍低的重量%固體取決于您的設備)。 表下面的1顯示了應添加到CHO-中的溶劑SHIELD 2044實現(xiàn)相應重量%固體。
在人體內噴灑CHO-SHIELD 2044時中環(huán)境(R.H.> 50%),延遲替換為200克的臉紅正丁醇(也稱為正丁醇CAS#71-36-3),每加侖CHO-噴涂前屏蔽2044
3.用溶劑稀釋后,將配合物通過將罐頭放在油漆上可以很好地重現(xiàn)搖床3-4分鐘或手動混合用大鏟子,直到所有固體都在
均質懸浮液。 檢查是否未混合的物料殘留在底部或容器的側面。
注意:應使用磁力攪拌器避免使用,因為它會吸引鎳顆粒對應用程序產生不利影響。
4.可選:應變材料減少或消除潛在的堵塞噴嘴。 油漆罐通過課程網(wǎng)(1000微米)扁平濾網(wǎng)放入壓力罐中噴霧。 所有金屬填料均應反式發(fā)酵,盡管少量填充物可能會在過濾器中收集到簇。
CS 2044重量%固體 | 每加侖CS 2044的MEK重量(克) | 每夸脫CS 2044的MEK重量(克) | 每100克CS 2044的MEK重量(克) |
28 | 1960 | 490 | 50 |
30 | 1568 | 392 | 40 |
32 | 1225 | 306 | 31 |
二、流體輸送系統(tǒng)
使用壓力鍋(15 psi,103 kPa,直徑大,槳型攪拌器在低混合速度下保持金屬填料均勻懸浮。常規(guī)噴涂設備,例如HVLP(大容量,低壓)或帶有螺旋槳式攪拌器壓力罐的DeVilbiss EGA 503可用于噴涂約20-50 psi(138-345 kPa)霧化空氣。盡可能使用最低壓力?;旌虾笸苛系脑傺h(huán)通過噴槍裝罐,然后通過建議將泵輸送系統(tǒng)用于填料均勻性更高。
對于大批量應用,機器人帶有HLVP噴槍的噴霧系統(tǒng)應該用于最大程度地減少材料損失由于噴涂過多,使涂料轉移效率最大化。虹吸飼料設備可以用于小規(guī)模生產或原型生產。
三、噴槍和壓力
使用標準HVLP噴槍,霧化空氣約為20-40 psi(138276 kPa)。
建議使用最小孔口直徑為0.040(1.016)的流體噴嘴。為了獲得最大的附著力和導電性,應避免干噴。調整達到適當濕潤的噴霧壓力涂導電涂料時涂膜。
四、標稱干膜厚度
標稱干膜厚度為0.002英寸建議使用(50 μm,2 mils)以獲得>從80 MHz到18 GHz,屏蔽效率為55 dB。但是,更薄或更厚外套可以接受,具體取決于設備的屏蔽要求受保護的。讓物料在室溫下干燥10-20分鐘涂層之間的溫度以避免溶劑陷害。
五、干燥條件
1.在室溫下干燥10-20分鐘。
2.繼續(xù)在處干燥45分鐘65°C±5.5°C(150°F±10°F)厚度為0.002英寸(50 μm,2密耳)內斯。如果較厚的薄膜干燥更長,如果更短則干燥薄膜更薄,以達到理想的效果定性。
注意:在室溫下干燥24小時將達到類似性能。
六、清理
噴涂系統(tǒng),包括噴槍,攪拌鍋,容器可以清洗用MEK或丙酮(不含VOC的溶劑)??谡挚梢杂肅hal-倫格485S防護大衣。
七、儲存和處理
CHO-SHIELD 2044應存儲在50oF下至10oC至30oC(86oF)的溫度,持續(xù)9個月自生產之日起保質期原始的密封容器。 CHO-SHIELD2044是易燃液體。 請咨詢正確的材料安全數(shù)據(jù)表使用前的處理程序。
CHO-SHIELD 2044典型屏蔽效能PER CHO-TM-TP11 *
CHO-SHIELD 2044 | |||
典型特性 | 典型值 | 測試方法 | |
聚合物 | 亞克力 | N/A | |
填料 | 鎳 | N/A | |
混合比(A:B重量比) | 1部分 | N/A | |
顏色 | 黑色 | N/A | (Q) |
噴霧粘度 | 15至21秒 | 扎恩杯2號 | (Q) |
表面電阻(最大)在0.002英寸(50 pm,200萬) | <= 1.000歐姆/平方 | CEPS-0002 | (Q/C) |
屏蔽效果(見圖1) | > 55分貝 | CH0-TM-TP11* | (Q) |
推薦干膜厚度 | .002“(下午50點) | N/A | |
濕密度 | 1.2 | ASTM D792 | (Q/C) |
平均固體含量(重量-按提供的濃度濃縮)每個應用筆記2稀薄 | 42% | 已計算 | (Q) |
連續(xù)使用溫度 | -40至85°C(-40至185°F) | N/A | (Q) |
適用期 | 不限 | N/A | (Q) |
干燥時間-室溫無粘性 | 0.5小時@ 21°C(70°F) | N/A | |
干燥時間-室溫充分干燥 | 24小時@ 21°C(70°F) | N/A | |
干燥時間-高溫完全干燥 | 在21°C(70°F)時0.25 hr,在66°C(150°F)時0.75 hr | N/A | |
自生產日期起未開封的21°C(70°F)的貨架壽命 | 9個月 | N/A | (Q) |
計算的VOC | 755克/升 | 已計算 | |
推薦干膜厚度下的理論覆蓋率 | 0.034平方英尺/克0.010平方米/克156平方英尺/加侖 | N/A |